HfO2是什么？HfO2（氧化铪），也可被称为二氧化铪。带隙为5.3~5.7 eV，高介电常数，介电常数比SiO 2高4...

来源：雪球App，作者： 趋势超盈，（https://xueqiu.com/1678663536/284930407）

HfO2是什么？HfO2（氧化铪），也可被称为二氧化铪。带隙为5.3~5.7 eV，高介电常数，介电常数比SiO 2高4-6倍，是很好的绝缘体。氧化铪具有十分稳定的化学性质，它只与强酸和强碱发生反应。HfO2用在哪些芯片制程中？氧化铪（HfO2）由于其高介电常数（高K值）特性，在动态随机存取存储器（DRAM）电容器和FET器件中作为高K电介质材料得到了广泛应用。例如，在DRAM中，使用HfO2可以增加存储容量，降低芯片功耗等。